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BSS670S2L參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation28/Mar/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：540mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：650毫歐@270mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@2.7µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.26nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：75pF@25V功率-最大值：360mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT23-3
